1997年和2007年分别毕业于西安建筑科技大学和华中科技大学，获得工学学士学位和工学博士学位。2007年作为引进人才进入湖南大学工作，同年底进入湖南大学电气工程博士后流动站工作，2010年8月调入安徽工业大学必威，现为必威电气工程系主任、功率变换研究室主任。主要研究方向为新型功率变换器技术、电力电子技术在新能源发电中的应用、基于DSP的数字控制技术等。主持完成包括国家自然科学基金在内的多项纵向课题。发表SCI和EI收录论文三十余篇，授权发明专利8件。2013年7月至2014年7月年受国家留学基金委全额资助赴美国奥本大学做访问学者一年。

1、电气工程（学术型） 2、检测技术与自动化装置  3、控制理论与控制工程   5.电气工程（专业型）  6、控制工程（专业型）  7、电气工程（在职工硕）  8、控制工程（在职工硕）

国家自然科学基金同行评议专家，教育部学位与研究生教育学位评审专家，安徽省科技厅科技项目评审专家，中国电源学会会员、中国电源学会元器件委员会委员。

1、横向课题：一种低压配电节电器，经费15万元，主持在研。

2、安徽省自然科学基金：超结沟槽型SiC MOSFET新结构及其关键技术研究， 经费12万元，主持在研。

3、安徽高校自然科学研究项目：Si/GaN混合功率模块及其可靠性研究，经费6万元，主持完成。

4、安徽高校自然科学研究项目：高迁移率4H-SiC MOSFET的研究，经费6万元，主持完成。

5、国家自然科学基金面上项目：高功率4H SiC光导开关超高耐压形成方法研究，经费65万元，主持完成。

6、湖南省博士后科研资助计划：4H-SiC功率器件RSD的研究，经费5万元，主持完成。

1、新型电力电子器件及其应用技术 

2、功率集成技术

3、电力电子功率变换技术

1、Qiusheng Zhang, Hangzhi Liu and Yuming Zhou*. Investigation on the Degradation Mechanism of Si/SiC Cascode Device Under Repetitive Short-Circuit Tests. IEEE Open Journal of Power Electronics, vol. 5, pp. 369-380, 2024.

2、周郁明*, 穆世路, 杨华等.Si/SiC混合开关最优门极延时及其在逆变器中的应用. 电子学报, 2023, 51(06): 1468-1473.

3、Yuming Zhou*, Hangzhi Liu, Shilu Mu, Zhaoquan Chen, and Bing Wang. Short-Circuit Failure Model of SiC MOSFET Including the Interface Trapped Charges. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2020, 8(1): 90-98.
4、周郁明*，武钰，陈兆权，王兵. 基于常通型碳化硅JFET的自供电固态断路器. 电力电子技术, 2020, 54(2): 63-65.

5、周郁明*，蒋保国，刘航志，陈兆权，王兵. 包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型. 中国电机工程学报，2019, 39(19): 5604-5612.

6、周郁明*，刘航志，杨婷婷. SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比. 电子学报，2019，47(3)：726-733.

7、周郁明*，蒋保国，陈兆权，王兵. 场效应晶体管短路失效的数值模型. 西安电子科技大学学报，2019，46(4)：175-184.

8、周郁明*，刘航志，杨婷婷. SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比.电子学报，2019，47(3)：726-733.

9、周郁明*，刘航志，杨婷婷，王兵. 碳化硅MOSFET电路模型及其应用. 西安电子科技大学学报，2018 45(3)：97-101.

10、Yuming Zhou*, Hangzhi Liu, Tingting Yang, and Bing Wang. SPICE Modeling of SiC MOSFET Considering Interface-Trap Influence. CPSS Transactions on Power Electronics and Applicaitons, 2018, 3(1): 56-64.

11、周郁明*，刘航志，杨婷婷，王兵. 碳化硅MOSFET的Matlab/Simulink建模及其温度特性评估. 南京航空航天大学学报，2017，49(6)：851-857.

12、周郁明*，李勇杰，鲍观甲，刘航志. 基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET Spice模型研究. 中国科学技术大学学报，2017，47(10):878-884.

电工电子电子技术与应用，2018年，中国电力出版社，参编。

已指导毕业研究生23名，在读研究13名。