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“谦之”学术讲坛之九十三-宽禁带功率器件特性及其应用技术

作者: 时间:2024-09-03 点击数:




报告题目:宽禁带功率器件特性及其应用技术

报告人:秦海鸿,南京航空航天大学自动化学院,副教授

报告时间:2024年96日15:30-16:30

报告地点:电气楼304

报告对象:感兴趣的教师、研究生、本科生

主办单位:必威

报告人简介:

秦海鸿,南京航空航天大学副教授,美国马里兰大学高级访问学者,英国诺丁汉大学国家公派访问学者,中国电工技术学会微特电机专业委员会委员,江苏省“创新创业岗”特聘专家,长期从事航空航天、军事装备用电源系统及电机驱动系统,以及第三代半导体器件应用研究与开发工作。发表学术论文90余篇,获授权发明专利20余项,出版专著5部、教材3部。获国防科技进步二等奖、机械工业科技进步二等奖、全国高校电气类专业青年教师实践教学设计创新大赛二等奖等多项奖励。

报告内容

报告主要介绍了宽禁带功率器件特性及其应用技术。相对于传统的硅材料,宽禁带材料具有更宽的能带间隙、更好的导热性、更高的击穿场强,以及饱和载流子迁移率等优良特性,在高温、高压、高频以及抗辐射等方面有着更为优越的性能,在电动汽车、轨道交通、航空航天和电力系统等领域的电力电子电路中有着广阔的应用前景。宽禁带器件带来优异性能的同时,由于其存在丰富的寄生参数,在高频场合替代传统硅器件的实际应用中也存在着较大的设计与应用挑战。该报告首先介绍了第三代半导体器件带来的器件、系统及应用优势,然后介绍典型宽禁带器件参数及其特性,进一步分析应用宽禁带器件在桥臂串扰、模块保护电路、并联均流、死区优化控制、PCB设计等方面所带来的挑战。

欢迎全校师生踊跃参加!

 

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