报告题目：SiC功率器件可靠性问题研究

报告人：周郁明 教授

报告时间： 2021年12月13日 16:00

报告地点：电气楼504

报告对象：电气学院相关专业本科生、研究生、教师

主办单位：必威

报告人简介：

周郁明（1971年-），必威，博士、教授，硕士生导师；2007年获得华中科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位，主要研究方向新型功率半导体器件及其应用，至今已发表论文50余篇，发明专利8项，主持完成国家自然科学基金项目和安徽省教育厅自然科学研究项目。目前为中国电源学会会员，IEEE会员，并担任IEEE Transactions on Power Electronics，北京理工大学学报、电源学报等多个期刊的审稿人。

报告内容：SiC功率器件具有耐压高、速度快、损耗低等优点，然而，由于SiC/SiO₂较高密度的界面缺陷，SiC功率器件为取得较低的阈值电压，其栅极绝缘层往往设计得比较薄，这导致SiC功率器件存在着较为严重的栅极可靠性问题。报告主要介绍SiC功率器件在短路电应力下的栅介质绝缘性能可靠性和击穿机理，金属电极钝化导致的极间短路等可靠性问题。